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氮化镓晶体管(GaN HEMT)

制造商 封装/规格 类型 漏源电压(Vdss) 连续漏极电流(Id) 耗散功率(Pd) 阈值电压(Vgs(th)) 栅极电荷量(Qg) 导通电阻(RDS(on)) 输入电容(Ciss) 输出电容(Coss) 反向传输电容(Crss) 技术路线 工作温度 包装/方式
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